Demasiado tarde. Christophe Fouquet, el director general de ASML, ha expresado públicamente su preocupación por las consecuencias de la presión que EEUU y sus aliados están ejerciendo sobre la industria de los chips de China. «Intentar estrangular demasiado a China puede acabar creando un competidor […] Ahora solo hay una compañía fabricando estas máquinas», ha declarado Fouquet a Financial Times. Se refiere, cómo no, a ASML y su monopolio efectivo en el mercado de los equipos de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE).
Las compañías japonesas Canon y Nikon intentaron durante la pasada década desarrollar sus propias máquinas de litografía UVE, pero ambas abandonaron este proyecto debido a la enorme complejidad técnica que implicaba y a la gran inversión en recursos que deberían afrontar. Hoy todos los chips de vanguardia del planeta se fabrican en máquinas de ASML. No importa si los produce TSMC, Intel, Samsung, SK hynix o Micron. Todas estas compañías son clientes de la empresa neerlandesa que lidera el mercado de los equipos de fotolitografía.
La posición de ASML es relativamente cómoda. Actualmente tiene una ventaja tecnológica indiscutible sobre sus competidores, pero Fouquet sostiene, con razón, que esta posición de dominio podría verse comprometida si China finalmente desarrolla sus propias máquinas UVE como respuesta a la presión de EEUU y sus aliados. Es evidente que es así. Lo sorprendente es que el máximo responsable de ASML haga esta declaración en un momento en el que es de dominio público que China está invirtiendo muchísimos recursos en el desarrollo de un equipo de litografía UVE que debería llegar antes de 2030.
El monopolio de ASML es un arma geopolítica
Para el Gobierno de EEUU, ASML es una herramienta de presión sobre China. Sin sus máquinas más avanzadas este país asiático se ha visto obligado a recurrir al multiple patterning para poder fabricar circuitos integrados de 7 nm. Muy a grandes rasgos esta técnica consiste en exponer la oblea varias veces con el propósito de trasladar un patrón geométrico con una resolución más alta que la que es posible alcanzar con un número menor de exposiciones. SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corp), el mayor fabricante chino de chips, la está usando para producir sus semiconductores más avanzados, pero está pagando un peaje muy alto.

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El mayor problema del multiple patterning consiste en que la necesidad de llevar a cabo más pasadas sobre cada oblea para trasladar el patrón procedente de la máscara ralentiza la fabricación de los chips. Y este escenario los encarece. No obstante, esto no es todo. Además, este procedimiento incrementa la tasa de errores por oblea, lo que reduce el yield o rendimiento por oblea. Y, de nuevo, el coste de cada circuito integrado se incrementa. Un multiple patterning agresivo es, en definitiva, una solución de compromiso, pero no es la tecnología adecuada para maximizar a medio plazo la competitividad de un nodo.
Un ‘multiple patterning’ agresivo es una solución de compromiso y no la tecnología adecuada para maximizar la competitividad de un nodo
Sea como sea, el mensaje de Fouquet no se dirige solo a la Administración estadounidense; también está destinado al Gobierno de Países Bajos y a la Unión Europea. Pero, como he mencionado unas líneas más arriba, llega muy tarde. En marzo de 2025 se filtró que Huawei estaba probando el primer equipo de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE) diseñado y fabricado íntegramente en China. Durante los últimos doce meses la información acerca de esta máquina ha ido llegando muy poco a poco, pero actualmente sabemos lo suficiente para tomarnos muy en serio este proyecto.
Su propósito es colocar en las manos de los fabricantes chinos de circuitos integrados la posibilidad de producir chips de alta integración sin utilizar los equipos de ASML. No obstante, a diferencia de las máquinas UVE de esta compañía de Países Bajos el prototipo del proyecto liderado por Huawei emplea una fuente de luz ultravioleta de tipo LDP (descarga inducida por láser), y no de clase LPP (plasma generado por láser). Sobre el papel la fuente LDP es capaz de generar luz UVE con una longitud de onda de 13,5 nm, por lo que este prototipo chino debería ser capaz de competir de tú a tú con las máquinas de fotolitografía UVE de ASML.
La fuente de radiación LDP es menos potente y más sencilla de implementar que una fuente LPP, aunque se ha filtrado que el Instituto de Tecnología de Harbin, que está alojado en el noreste de China, está probando una fuente LPP de 100 vatios. Lo más interesante de este proyecto es que, si nos ceñimos a lo que sabemos, parece haber dado forma a una máquina de fotolitografía híbrida que combina soluciones desarrolladas por China aplicando ingeniería inversa sobre los equipos de fotolitografía de ultravioleta profundo (UVP) de ASML e innovaciones ideadas por los centros de investigación chinos.
El Instituto de Óptica, Mecánica y Física de Changchun parece ser capaz de fabricar los espejos que requiere una máquina UVE mediante técnicas de pulido atómico
El Instituto de Óptica, Mecánica y Física de Changchun parece ser capaz de fabricar los espejos que requiere una máquina UVE mediante técnicas de pulido atómico con unas prestaciones cercanas a las de los espejos que produce Zeiss para ASML. Por otro lado, la Universidad Tsinghua ha presentado recientemente avances en fotorresistencias de politeluoxano diseñadas específicamente para interactuar con la longitud de onda de 13,5 nm.
Además, Xuzhou B&C Chemical, que es uno de los principales fabricantes de materiales fotorresistentes de China, prevé que en como mucho cinco años tendrá la capacidad de producir a gran escala fotorresistencias avanzadas KrF (Krypton Fluoride) y ArF (Argon Fluoride). Sea como sea, las filtraciones sostienen que los primeros circuitos integrados de prueba serán producidos por esta máquina en 2028, de modo que la fabricación a gran escala comenzará no más allá de 2030.
Imagen | ASML
Más información | Financial Times
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La noticia
ASML advierte: «Estrangular a China puede acabar creando un competidor»
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Xataka
por
Laura López
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